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碳化硅在模块化UPS及高压直流（HVDC）不间断电源中提升效率与功率密度的最新进展

摘要

本研报聚焦碳化硅（SiC）功率器件在数据中心模块化不间断电源（UPS）及高压直流（HVDC）系统中的应用进展，系统分析SiC如何推动这两类电源设备向更高效率、更小体积演进，以满足数据中心日益严苛的绿色化与空间节省需求。

研究显示，2023年全球数据中心电源SiC器件渗透率约为12%，预计到2028年将提升至35%以上。在典型240kW模块化UPS中，采用SiCMOSFET可将系统效率从96.5%提升至98.2%，功率密度从每立方米1.2MW跃升至2.5MW以上。HVDC系统方面，SiC器件使240V至400V母线电压的系统损耗降低约40%，并推动800V高压直流架构的产业化落地。

第一章界定行业边界，明确本报告聚焦模块化UPS与HVDC中SiC器件的应用，建立从技术到市场的分析框架。第二章从政策、经济、技术三维度剖析宏观环境，指出PUE严控与“双碳”目标构成核心驱动力。第三章拆解产业链，测算2023年SiC在UPS/HVDC领域的市场规模约4.8亿美元，2028年有望达到18.5亿美元。第四章呈现竞争格局，华为、维谛、伊顿等头部系统商已批量推出SiC方案，而Wolfspeed、英飞凌等器件商占据核心供应地位。第五章刻画数据中心客户对效率、体积与全生命周期成本的刚性需求，中国