CN119797426A 一种钴插层二硫化铌、制备方法及应用 (河南工业大学).pdfVIP

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  • 2026-07-18 发布于重庆
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CN119797426A 一种钴插层二硫化铌、制备方法及应用 (河南工业大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119797426A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411786571.2

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人河南工业大学

地址450001河南省郑州市高新技术产业

开发区莲花街100号

(72)发明人赵小苗郑东伟李祯煜赵志伟

段磊陈雪霞胡秋俊王琳琳

(74)专利代理机构洛阳九创知识产权代理事务

所(普通合伙)41156

专利代理师袁方

(51)Int.Cl.

C01G33/00(2006.01)

H01F1/00(2006.01)

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