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氮化镓外延片：硅基GaN与碳化硅基GaN的技术经济性对比及市场应用分化

摘要

本报告聚焦氮化镓（GaN）外延片领域，深度剖析硅基GaN（GaN-on-Si）与碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）两大技术路线。通过对材料特性、制造成本、性能极限及下游应用进行系统性技术与经济性对比，揭示其在功率器件与射频器件两大市场的核心权衡逻辑与分化路径。

报告指出，GaN-on-SiC凭借其卓越的导热性、更低的晶格失配率，在5G基站、国防雷达等高频、高功率场景中占据不可替代的主导地位。而GaN-on-Si则得益于大尺寸硅衬底的低成本优势及与CMOS工艺的兼容性，在消费电子快充、中低压功率集