CN120099632A 一种二维硒化铟晶体材料及其制备方法和场效应晶体管 （香港理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120099632A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510325433.2

(22)申请日2022.06.01

(62)分案原申请数据

202210617423.22022.06.01

(71)申请人香港理工大学

地址中国香港九龙红磡香港理工大学

(72)发明人赵炯韩伟郑晓东

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师关浩坚

(51)Int.Cl.

C30B25/02(2006.01)

C30B29/46(2006.01)

H10D30/60(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图6页

(54)发明名称

一种二维硒化铟晶体材料及其制备方法和

场效应晶体管

(57)摘要

CN120099632A本发明涉及二维材料的制备领域，具体是一种二维硒化铟晶体材料的制备方法。本发明提供的方法通过短距化学气相沉积合成厘米级二维硒化铟晶体材料，以In2O3和硒单质为靶材能够获得β相二维硒化铟晶体材料，以In2O3、InSe和硒单质为靶材能够获得β9相二维硒化铟晶体材料，以β9相二维硒化铟晶体材料为前驱体通过释放应力能够获得α相二维硒化铟晶体材料