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碳化硅芯片高温测试技术挑战与自动化测试设备国产化现状分析

摘要

碳化硅（SiC）芯片作为第三代半导体核心器件，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器及5G基站等领域。其高温工作特性（通常需承受200℃以上环境）对封装测试环节提出严苛要求，而自动化测试设备国产化率不足20%，严重制约产业链安全。本报告聚焦SiC芯片高温测试技术难点与国产设备发展现状，采用定量与定性结合方法，整合工信部统计数据、行业数据库及15家头部企业访谈数据，研究时间跨度为2020-2025年。

研究发现，全球SiC测试设备市场规模达48亿美元，年复合增长率18.7%，但高温测试环节技术壁垒极高。国产设备在精度稳定