SJT 12005-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板标准立项发展报告.docxVIP

功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:ActiveMetalBrazing(AMB)SiliconNitrideCeramicCopper-CladSubstrateforPowerSemiconductorPackaging

摘要

关键词

活性金属钎焊；氮化硅陶瓷；覆铜基板；功率半导体；封装；标准化；可靠性；导热系数

Keywords:ActiveMetalBrazing;SiliconNitrideCeramic;Copper-CladSubstrate;PowerSemiconductor;Packaging;Standardization;Reliability;ThermalConductivity

正文

一、引言与立项背景

功率半导体器件，特别是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体，正在深刻地变革着全球能源转换与控制的格局。其应用领域已从传统的工业电源、变频家电，迅速拓展至对性能与可靠性要求极为苛刻的新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网、高速铁路牵引系统以及航空航天电源系统。这些应用场景对功率模块提出了高压（1200V）、大电流、高频化、高温运行（结温175°C）以及极端环境下