SJT 12006-2025 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板标准立项发展报告.docxVIP

功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:ActiveMetalBrazing(AMB)AluminumNitrideCeramicCopper-CladSubstrateforPowerSemiconductorPackaging

摘要

本报告围绕行业标准SJ/T12006-2025《功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化铝陶瓷覆铜基板》的立项与发展展开。随着新能源、轨道交通、智能电网等领域的快速发展，功率半导体器件正朝着高功率密度、高可靠性及小型化方向演进，对封装材料的性能提出了前所未有的挑战。活性金属钎焊（AMB）氮化铝（AlN）陶瓷覆铜基板凭借其优异的导热性、与芯片匹配的热膨胀系数以及高绝缘性，已成为下一代功率模块封装的关键材料。本报告深入剖析了该标准立项的技术背景、产业需求及国内外标准现状，系统阐述了标准的核心技术内容与关键指标，包括材料性能、制造工艺、测试方法及质量评定规范。报告指出，该标准的制定填补了国内在该高端封装材料领域的标准空白，对于规范市场秩序、引导技术升级、提升国产化水平具有里程碑式的意义。报告最后对该标准发布后的产业影响进行了展望，并提出了推动标准实施与迭代发展的建议。

关键词：功率半导体封装