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半导体先进节点栅极堆叠：原子层刻蚀设备与界面钝化化学品的精确去除与修饰竞争

摘要

本报告聚焦半导体先进节点（5nm及以下）栅极堆叠工艺中，原子层刻蚀（ALE）设备与界面钝化化学品两大关键使能技术的交叉竞争格局。随着FinFET向GAA纳米片架构演进，高k介质与功函数金属的埃级精度去除及界面态密度控制成为良率与性能的核心瓶颈。

核心发现表明，该领域呈现“设备主导去除、化学品驱动修饰”的二元竞争态势，但两者在界面工程环节产生深度交叉。泛林半导体（LamResearch）、东京电子（TEL）与应用材料（AMAT）凭借ALE设备的高自限性反应控制占据去除精度优势；巴斯夫（BASF）