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附录

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CMC在进行换相时IGBT模块损耗和结温计算及热仿真分析

目录

TOC\o1-3\h\u2210CMC在进行换相时IGBT模块损耗和结温计算及热仿真分析 1

119981.1IGBT模块功率损耗分析 1

163541.1.1IGBT模块开关损耗 1

196771.1.2IGBT模块通态损耗 3

174841.2IGBT模块结温计算 3

101221.3仿真验证 8

294681.4小结 11

当CMC在进行换相时，IGBT模块上流过的电流和集-射两端的电压会不断发生变化，这就导致了其开关损耗的计算非常复杂[REF_Re\r\h45]，而且随着调制策略的不同损耗也会不同。本章就机组在额定工况下运行时IGBT模块的最大功率损耗和结温进行了分析计算，然后在PLECS中进行了仿真验证。

当IGBT模块在正常工作时，其功率损耗是导致温升的重要因素，IGBT模块通常包含IGBT硅片和续流二极管硅片两部分，这两个部分的总损耗就是IGBT模块的功率损耗，而每一部分的功率损耗又包括开关损耗和通态损耗[REF_Re\r\h46]。

1.1IGBT模块功率损耗分析

1.1.1IGBT模块开关损耗

图5-1IGBT模块开通损耗

图5-2IGB