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集成电路工艺仿真期末考试试题（含详细答案）

适用专业：微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统

考试时长：120分钟

满分分值：100分

考试说明：闭卷考试；允许使用简易计算器；主要涉及Sentaurus/TCAD基础理论、半导体制造工艺流程、工艺仿真原理与实操分析

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

在每小题给出的四个选项中，只有一项是最符合题目要求的

现阶段工业界与高校教学中，应用最广泛的集成电路二维、三维工艺仿真软件是（）

A.ADS

B.SentaurusTCAD

C.CadenceVirtuoso

D.HFSS

半导体工艺仿真中，以下哪项不属于前道制造工艺的仿真范畴（）

A.离子注入

B.栅极氧化

C.金属互连电镀

D.有源区光刻刻蚀

热氧化工艺仿真过程中，干氧氧化相较于湿氧氧化的主要特点是（）

A.氧化速率快，氧化层缺陷少

B.氧化速率慢，氧化层致密、界面缺陷低

C.氧化速率快，适合厚氧化层制备

D.氧化速率慢，生产成本更低

离子注入仿真中，用来描述杂质纵向分布的核心参数是（）

A.投影射程Rp

B.横向离散ΔRt

C.晶格失配度

D.扩散系数D

退火工艺的核心作用不包括以下哪一项（）

A.修复离子注入造成的晶格损伤

B