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集成电路基础课程期末考试试卷（含详细答案）

适用专业：微电子科学与工程、电子信息工程、集成电路工程

考试时长：120分钟

满分分值：100分

考试说明：本试卷为闭卷考试，题型包含选择题、判断题、填空题、简答题、综合分析题，无附加题；所有答案均需写在答题卡/答题纸上，直接写在试卷上无效。

一、单项选择题（共15小题，每小题2分，共30分）

每小题只有一个正确答案，请选出最优选项

现阶段量产集成电路最常用的基底半导体材料是（）

A.锗（Ge）B.硅（Si）C.砷化镓（GaAs）D.碳化硅（SiC）

PN结最核心的电学特性是（）

A.单向导电性B.光电效应C.齐纳击穿D.雪崩击穿

CMOS反相器电路中，高低电平静态功耗趋近于零，主要原因是（）

A.供电电压数值极低B.负载电阻阻值极大C.NMOS与PMOS不会同时导通D.晶体管漏电流被完全屏蔽

集成电路制造工艺中，光刻工序的主要作用是（）

A.向硅片内部掺杂离子B.复刻电路版图图案至晶圆表面C.生成二氧化硅绝缘层D.退火修复晶圆晶格损伤

7nm及以下先进制程中，主流替代传统平面MOS管的晶体管结构为（）

A.BJT双极型晶体管B.结型场效应管C.FinFET鳍式场效应管D.光电晶