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高效Si基掺铒薄膜发光性质研究

一、研究背景与意义

在当今的信息时代，光电子技术作为信息技术的重要支撑，正朝着高速化、集成化、微型化的方向迅猛发展。硅（Si）作为微电子产业的基石，具有成本低、制备工艺成熟以及与现有集成电路兼容等诸多优势。然而，硅是间接带隙半导体，其发光效率极低，这一特性严重制约了硅基光电子集成的发展。

铒（Er）作为一种重要的稀土元素，其4f电子跃迁（?I??/?→?I??/?）能够产生1.54μm的近红外光发射，该波长处于光纤通信的低损耗窗口，在光通信领域具有极高的应用价值。将铒掺杂到硅基薄膜中形成的Si基掺铒薄膜，有望结合硅基材料的集成优势和铒离子的优良发光特性，实现高效发光，从而推动硅基光电子器件的集成化发展。

因此，开展高效Si基掺铒薄膜发光性质的研究，对于突破硅基材料发光效率低的瓶颈，促进光电子集成技术的进步具有重要的理论意义和实际应用价值。

二、Si基掺铒薄膜的制备方法

制备高质量的Si基掺铒薄膜是研究其发光性质的基础，目前常用的制备方法主要有以下几种：

（一）化学气相沉积法（CVD）

化学气相沉积法是通过气态前驱体在基底表面发生化学反应生成薄膜的方法。在制备Si基掺铒薄膜时，通常以硅烷（SiH?）等作为硅源，以含铒的有机化合物（如三甲基铒）作为铒源，在一定的温度、压力等条件下，使这些前驱体在硅基底表面发生反应，形成掺铒的