SST迎商业化元年，数据中心带动千亿市场空间.pptx

;第一章：数据中心供电架构升级带动SST需求;;;;;;;;;;;2.4技术壁垒：高绝缘+高频+低漏感+低局放互相牵制

SST进入数据中心的第一道硬门槛是局部放电控制，中压+高频工况下绝缘介质电场强度达10-50kV/mm，高频PWM脉冲

（dv/dt10kV/μs）进一步加剧风险，数据中心要求10pC（高端5pC）。伊顿已发布MVSST2.0并落地国内标杆项目，中国西电方案亦在贵安东数西算数据中心稳定运行超一年，头部厂商正通过绝缘材料与系统架构创新突破该指标。

低漏感与高绝缘在空间布局上的矛盾是SST产品差异化的关键节点，当前主流方案通过绝缘材料创新与绕组结构优化来调和。伊顿MVS