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光催化空气净化设备研发工程师岗位招聘考试试卷及答案

光催化空气净化设备研发工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光催化反应中最常用的半导体材料是______

2.光催化过程中，半导体吸收光子后产生______和______

3.光催化空气净化主要去除的污染物类型包括VOCs、______和______

4.提高光催化效率的方法之一是进行______改性

5.光催化反应的必要条件是光子能量______半导体的禁带宽度

6.光催化设备中常用的光源类型有UV灯、______

7.光催化材料的比表面积通常通过______法测定

8.空穴与水分子反应生成的活性物种是______

9.光催化设备的核心组件包括光源、______和气流通道

10.评价光催化性能的关键指标之一是______效率

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种半导体材料在可见光下有较好的光催化活性？

A.TiO?（锐钛矿）B.g-C?N?C.ZnOD.SnO?

2.光催化反应中，电子-空穴对的复合会导致：

A.效率提高B.效率降低C.无影响D.设备寿命延长

3.以下哪种污染物不属于光催化空气净化的主要处理对象？

A.苯B.二氧化碳C.甲苯D.甲醛

4.光催化设备中催化剂载体的作用不包括：

A.增加比表面积B.固定催化剂C.提供反应场所D.产生光子

5.锐钛矿型TiO?的禁带宽度约为：