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光电子器件制造技师考试试卷及答案

光电子器件制造技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光电子器件中常用的III-V族半导体材料有______和InP。

2.LED的核心发光结构是______。

3.光纤通信系统中常用的光检测器是______。

4.MOCVD的中文全称是______。

5.光刻工艺中常用的曝光光源类型是______。

6.薄膜沉积的常用方法之一是______。

7.激光器开始稳定发光的最小注入电流称为______。

8.光电子器件封装中常用的导热材料是______。

9.光耦合器的主要作用是______。

10.量子阱结构的基本特征是______被宽禁带材料包围。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种材料常用于制造红外光电探测器？（）

A.SiB.GaAsC.HgCdTeD.InP

2.光刻工艺中抗蚀剂的主要作用是（）

A.保护衬底B.形成图形C.增强附着力D.提高导电性

3.LED的发光原理是（）

A.光致发光B.电致发光C.热致发光D.化学发光

4.MOCVD工艺属于（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.溅射D.蒸发

5.形成光电子器件欧姆接触的常用工艺是（）

A.光刻B.蒸发C.刻蚀D.扩散

6.光电子器件封装的关键步骤不包括（）

A.芯片键合B.引线键合C.封装密封D.衬底清洗

7.激光器直接调制的核心参数是（）

A.温