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光刻胶研发工程师考试试卷及答案

光刻胶研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光刻胶主要由树脂、感光剂和______组成。

2.正性光刻胶经曝光后，曝光区域______于显影液。

3.EUV光刻胶的曝光波长通常为______nm。

4.光刻胶的分辨率是指能分辨的最小______间距。

5.负性光刻胶曝光区域发生______反应。

6.光刻胶的灵敏度单位通常是______。

7.深紫外光刻的典型波长是______nm。

8.光刻胶涂覆常用的方法是______。

9.显影后检测光刻胶图形的常用设备是______。

10.光刻胶中的感光剂在曝光时发生______变化。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种光刻胶适用于EUV曝光？（）

A.酚醛树脂型B.化学放大型C.聚酰亚胺型D.硅氧烷型

2.正性光刻胶的显影原理是？（）

A.曝光区交联B.曝光区溶解加快C.未曝光区溶解D.未曝光区交联

3.光刻胶的对比度是指？（）

A.曝光前后溶解度差异B.涂覆厚度均匀性C.图形边缘清晰度D.对不同波长的敏感程度

4.下列哪种溶剂常用于光刻胶配制？（）

A.水B.乙醇C.丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）D.丙酮

5.光刻胶涂覆后需要进行的步骤是？（）

A.曝光B.前烘C.显影D.坚膜

6.EUV光刻胶的主要挑战是？（）

A.高成本B.低灵敏度C.低分辨率D.易污染

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