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光通信芯片制造技师考试试卷及答案

光通信芯片制造技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光通信芯片常用的直接带隙衬底材料是______。

2.光刻工艺中用于转移图形的感光材料是______。

3.外延生长技术中，______法是常用的薄膜沉积方法之一。

4.光芯片中实现光信号调制的关键结构是______。

5.芯片制造中去除表面污染物的过程称为______。

6.光纤与芯片耦合时常用的对准方式是______对准。

7.等离子体蚀刻工艺中，______气体常用于硅材料的刻蚀。

8.光通信芯片的核心功能是实现光信号的______、调制或检测。

9.芯片封装中用于保护芯片的材料是______。

10.测试光芯片输出功率的仪器是______。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种材料不适合作为光通信芯片的衬底？（）

A.InPB.GaAsC.SiO?D.Si

2.光刻工艺中，曝光的目的是？（）

A.去除光刻胶B.转移图形到光刻胶C.刻蚀衬底D.沉积薄膜

3.MOCVD工艺的中文名称是？（）

A.分子束外延B.金属有机化学气相沉积C.等离子体增强化学气相沉积D.磁控溅射

4.光探测器芯片的核心工作原理是？（）

A.光电效应B.热电效应C.压电效应D.霍尔效应

5.下列哪种工艺用于在芯片表面形成导电层？（）

A.光刻B.蚀刻C.镀膜D.掺杂

6.芯片制造中，“晶