P通道PowerTrench®MOSFET-50A 12.3mΩ特性与应用.pdfVIP

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FDD4141_F085

P通道PowerTrench®MOSFET‑40V，‑

50A，12.3mΩ

特性

在V = −10V和I  −12.7A条件下，最大r = 12.3mΩ；在V

GSDDS(on)

 = −4.5V和I = −10.4A条件下，最大r = 18.0mΩ高性能沟槽技术

GSDDS(on)

实极低r

现的DS(on)

■符合AECQ101■

符合RoHS

一般描述

此P沟道MOSFET采用FairchildSemiconductor的专有PowerTrench®技术制造，

低r和优化的Bvdss能力，以在应用中卓越的性能优势。同时优化了开关性能，

DS(on)

减少了转换器/逆变器应用中的功率损耗。

应用逆变器

电源供应

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P-Ch