CN119907291A Mos结构及其制备方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119907291A

(43)申请公布日2025.04.29

(21)申请号202510397435.2H10D62/10(2025.01)

(22)申请日2025.04.01

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人王文智刘哲儒

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师江作舟

(51)Int.Cl.

H10D64/27(2025.