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- 2026-08-03 发布于北京
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标题:集成电路电磁抗扰度测量第9部分:辐射抗扰度测量表面扫描法标准立项发展报告
EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:IntegratedCircuits–MeasurementofElectromagneticImmunity–Part9:MeasurementofRadiatedImmunity–SurfaceScanMethod
摘要
随着电子系统集成度与工作频率的持续攀升,集成电路(IC)作为系统级电磁兼容性的核心,其抗扰度性能已成为制约整机可靠性的关键因素。传统远场辐射抗扰度测试方法(如TEM小室法)虽能评估IC的整体性能,却难以定位芯片内部敏感区域的电磁弱点。为应对这一挑战,GB/T42968.9-2025《集成电路电磁抗扰度测量第9部分:辐射抗扰度测量表面扫描法》应运而生。本报告围绕该标准的立项背景、技术原理、编制过程及其产业应用价值展开深入分析。报告首先阐述了当前IC电磁兼容设计面临的微观化、精准化测试需求,明确了表面扫描法相较于传统方法的技术优势。其次,系统介绍了该标准所采用的核心技术——基于近场探头的局部辐射抗扰度测量原理,包括校准方法、扫描策略及数据处理流程。同时,报告对标准的主要技术内容,如测试装置(包括探头、定位系统与场发生装置)、测试布置、测试
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