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2026年电子材料设计与工艺探索实操类实验题目集

一、选择题（每题2分，共10题）

1.题目：在半导体器件制造中，用于钝化层沉积的材料通常是？

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.氧化铝

D.三氧化二铝

答案：B

2.题目：以下哪种材料适用于高压电力器件的栅极介质层？

A.SiO?

B.Al?O?

C.HfO?

D.Si?N?

答案：C

3.题目：在柔性电子器件中，常用的导电薄膜材料是？

A.银纳米线

B.石墨烯

C.铜纳米线

D.金纳米线

答案：B

4.题目：以下哪种工艺可用于制备高纯度硅晶锭？

A.Czochralski法

B.Float-zone法

C.Direct-chip-die法

D.Molecular-beamepitaxy法

答案：A

5.题目：用于锂离子电池正极材料的常用前驱体是？

A.Li?CO?

B.LiOH·H?O

C.LiF

D.LiAlO?

答案：B

6.题目：在光电子器件中，用于制备LED芯片的衬底材料通常是？

A.GaN

B.SiC

C.InP

D.GaAs

答案：B

7.题目：以下哪种材料适用于制备传感器中的敏感层？

A.TiO?

B.ZnO

C.SnO?

D.Fe?O?

答案：C

8.题目：在芯片封装中，用于引线键合的金属材料通常是