探究阈值电压变化的关键等效电路因素.pptVIP

会计学;MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，能够用线性方程组描述小信号特性，其中(qízhōng)不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。;;;2、温度增长，斜率(xiélǜ)的减小，是在高温下迁移率下降造成的;;饱和(bǎohé)区的漏极电阻;对于实际MOSFET，饱和区输出特性曲线(qūxiàn)总有一定的倾斜，使输出电导不等于零，即输出电阻不为无穷大。;;(4)栅极(shānjí)电容;1.2串联电阻(diànzǔ)对电导gd和跨导gm的影响;②对输出(shūchū)电导的影响;;1.3频率特性;;第15页/共25页;三影响(yǐngxiǎng)阈值电压的其它原因;阈值电压与衬底掺杂浓度(nóngdù)、氧化层厚度的关系;控制(kòngzhì)阈值电压的方法：;（2）变化氧化层的厚度。这种方法广泛应用于MOSFET之间的隔离。这时，氧化层厚度比源漏区之外的氧化层（场区氧化层）薄得多。于是场区氧比层VTH比栅氧化层的VTH大得多。若将合适栅偏压同步(tóngshí)加在栅极氧化层和场区氧化层上，栅下形成了反型沟道，而场区氧化层下面的半导体表面仍保侍耗尽状态。;3.2.衬底偏置的影响(yǐngxiǎng);为达成强反型，外加(wàijiā)栅电压必须增强来补偿QB，