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基于查找表的CMP冗余金属填充寄生虫电容提取技术：原理、应用与优化

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IntegratedCircuit,IC）作为现代电子系统的核心，其性能和集成度不断提升。在IC制造工艺中，化学机械抛光（ChemicalMechanicalPlanarization,CMP）技术被广泛应用于晶圆平坦化处理，以满足日益严格的光刻工艺对表面平整度的要求。尽管CMP技术具有相对良好的平坦性，但由于下层版图图形密度不均匀，仍然会导致抛光后电介质的厚度变化不均匀，进而影响后续工艺的精度和电路性能。

为了解决这一问题，冗余金属填充技术应运而生。该技术通过在版图的空白区域填入冗余金属，使版图密度区域趋于平均化，有效改善了CMP的平坦化效果。然而，冗余金属填充在提高平坦度的同时，也引入了新的问题——寄生电容。寄生电容的存在会导致互连线的电容增大，对电路的性能产生负面影响，如增加信号传输延迟、引发串扰以及提高功耗等。Sinha在相关研究中指出，冗余金属填充可使关键线网的总电容最多增加到2.6倍，这充分说明了寄生电容对电路性能影响的严重性。

准确提取冗余金属填充所产生的寄生电容，对于优化电路设计、提高电路性能和可靠性具有至关重要的意义。传统的寄生电容提取方法在处理复杂的冗余金属填充结构时，往往存在计算效率低、精度不