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CN120166764A 自对准高压cmos器件的制造方法 （华虹半导体(无锡)有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-08-04 发布于重庆
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CN120166764A 自对准高压cmos器件的制造方法 （华虹半导体(无锡)有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120166764A

    (43)申请公布日2025.06.17

    (21)申请号202510379384.0

    (22)申请日2025.03.28

    (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

    地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

    30号

    (72)发明人许昭昭

    (74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

    公司31211

    专利代理师陈钧

    (51)Int.Cl.

    H10D84/01(2025.01)

    H10D84/03(2025.01)

    H10D84/85(2025.01)

    权利要求书2页说明书4页

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