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电子元器件生产流程优化年度述职报告

本年度我牵头负责电子元器件生产全流程优化专项工作，覆盖电阻、电容、电感三大类被动元器件及功率器件、射频芯片封测两大业务板块，全年围绕降本、提质、增效三大核心目标，以精益生产理论为核心框架，结合工业互联网、机器视觉等技术应用，累计完成12项核心流程迭代、3项关键设备改造、4项管理机制升级，各项优化指标均超额完成年度考核要求，现将全年工作开展情况、取得成效、存在不足及下年度工作规划述职如下：

一、全年核心工作开展情况

1.前置工序流程重构，破解基片良率波动痛点

此前生产端核心不良中41%来源于陶瓷基片/晶圆衬底工序，具体表现为：陶瓷粉料批次粒径差最高达12μm，流延厚度偏差最高±8%，后续电极印刷偏移率达3.2%，MLCC、功率器件衬底不良率年均1.72%，10μF以上大容量MLCC耐压不合格率最高达4.7%。针对该问题，我牵头组建前置工序优化小组，重点推进三项改造：一是新增2台高精度超声分筛设备，建立粉料前置分筛机制，将入厂粉料粒径差严格控制在3μm以内，分筛后粉料一致性达99.2%；二是在流延工序加装在线激光测厚仪，每2秒采集一次基片厚度数据，联动调整刮刀压力和走带速度，实现流延参数闭环控制；三是调整烧结工序流程，将原基片与电极共烧模式拆分为“基片预烧结+电极印刷后低温烧结”两步，预烧结温度从800℃提升至1120℃完成基片定型，后续印刷后烧结