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背面供电网络中的电源开关与功率门控：在Chiplet中实现纳米级电压调节

摘要

本报告聚焦于在Chiplet架构的背面供电网络中集成低损耗功率开关，以实现纳米级电压调节的前沿技术趋势，预测周期为2025年至2035年。

核心判断是，随着半导体工艺逼近物理极限，将电源管理功能从正面有源层转移至背面金属层，将引发芯片能效架构的根本性变革。

报告预测，至2030年，集成氮化镓或横向扩散金属氧化物半导体功率开关的背面供电网络，将能够在单个芯粒上实现亚微秒级的独立电源门控，使多核处理器的待机功耗降低40%以上，动态能耗延迟积改善25%。

报告遵循“环境→现状→趋势→演进→预测→影响→建