电子行业SCM存储，AI时代存储分级的必选项.docx

将推升2026年下半年SLC合约价格较上半年调涨120-170%，不排除有上修空间。

此外，我们看到PCM在SCM存储层级也有较大潜力。相变存储器被称为PCM或PCRAM。早在1968年就被奥弗辛斯基（StanfordOvshinsky）提出，他首次描述了基于相变理论的存储器：材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的光学特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表0和1来存储数据，这一学说称为奥弗辛斯基电子效应。相较于其他类型的存储器（包括NAND闪存），PCM具有更快的写入周期、更快的访问时间、耐力（估计相变存