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2027年半导体封装引线框架材料竞争格局与高强高导铜合金及蚀刻引线框架替代冲压趋势评估

摘要

本报告聚焦半导体封装基板与热界面材料领域中引线框架材料的竞争格局，核心分析对象为传统冲压铜合金框架、高强高导铜合金框架及蚀刻精细框架。研究发现，至2027年，随着超细间距封装（FinePitch）在QFN/DFN及先进SiP模组中的渗透率突破60%，蚀刻框架将凭借其卓越的尺寸精度与轻薄化能力，在逻辑IC与高端存储领域逐步替代冲压框架；而高强高导铜合金（如Cu-Cr-Zr系）将解决传统C194合金在高温服役下的强度衰减痛点，成为功率半导体封装的首选。

报告第一章概述了分析背景、方法及