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硅锗掺杂类金刚石薄膜特性研究

1引言

类金刚石（Diamond-LikeCarbon，DLC）薄膜作为一种亚稳态的非晶碳膜，凭借其与金刚石薄膜诸多相似的优异性能，在众多领域展现出巨大的应用潜力。在光学方面，DLC薄膜在红外区具有良好的透明性，同时具备高硬度、耐磨损等特性，使其成为红外窗口增透膜和保护膜的理想选择。然而，在实际工程应用中，DLC薄膜存在内应力大以及附着力较差的问题，这在一定程度上限制了其广泛应用。

为有效改善DLC薄膜的上述特性，元素掺杂成为一种重要的手段。通过向DLC薄膜中引入特定元素，有望降低薄膜的内应力，提高膜基附着力，进而优化DLC薄膜的综合性能。硅（Si）和锗（Ge）作为半导体元素，其掺杂对DLC薄膜性能的影响备受关注。本文利用脉冲电弧离子镀和电子束热蒸发相结合的复合沉积技术，在硅基底上成功制备了一系列不同硅或锗含量（原子百分比at.%）的Si-DLC薄膜和Ge-DLC薄膜，并系统深入地研究了硅（锗）含量对DLC薄膜光学特性和力学特性的影响规律。

2实验部分

2.1实验设备

2.1.1电子束热蒸发设备及原理

电子束热蒸发设备是利用电子枪发射的高能电子束轰击蒸发源材料（如Si、Ge等），使材料获得足够的能量而蒸发。在高真空环境下，蒸发的原子或分子以直线运动的方式抵达基底表面，并逐渐沉积形成薄膜。其原理基于电子与材