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垂直腔面发射激光器量产难点

一、引言

垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，VCSEL）作为一种新型半导体激光器，凭借低阈值电流、圆形光斑、可单片集成阵列等独特优势，已成为消费电子3D传感、数据中心光互连、工业激光雷达等领域的核心器件。近年来，下游应用市场的爆发式增长推动VCSEL需求持续攀升，但规模化量产环节的诸多技术瓶颈，却制约着其稳定供应能力。与传统边发射激光器相比，VCSEL的结构设计与制造工艺更为复杂，从核心材料外延到晶圆制程，再到封装测试与良率管控，每个环节都存在极高的技术门槛。本文将围绕VCSEL量产的核心难点，从材料、