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半导体工艺岗笔试题目及答案

一、选择题（每题3分，共15分）

1.以下哪种工艺用于在硅片表面形成绝缘层？

A.离子注入B.化学气相沉积（CVD）C.光刻D.刻蚀

答案：B（CVD可沉积SiO?、Si?N?等绝缘材料；离子注入用于掺杂，光刻用于图形转移，刻蚀用于材料去除）

2.14nm工艺节点中“14nm”通常指的是：

A.栅极氧化层厚度B.金属互连线宽度C.晶体管栅极长度D.接触孔直径

答案：C（工艺节点主要表征晶体管关键尺寸，即栅极长度；互连线宽度一般小于节点数值）

3.以下哪种清洗工艺主要用于去除有机污染物？

A.RCA标准清洗（SC-1）B.氢氟酸（HF）清洗C.硫酸-双氧水（SPM）清洗D.去离子水冲洗

答案：C（SPM利用强氧化性分解有机物；SC-1主要去除颗粒和金属，HF去除氧化层，去离子水用于稀释残留）

4.等离子体刻蚀中，各向异性刻蚀的关键控制因素是：

A.刻蚀气体流量B.射频功率C.反应腔压力D.离子轰击方向性

答案：D（各向异性依赖离子垂直轰击实现侧壁保护，压力降低、离子能量提高可增强方向性）

5.化学机械抛光（CMP）的主要作用是：

A.提高表面平整度B.形成金属互连C.去除光刻胶D.沉积介质层