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半导体或芯片岗位招聘笔试题及答案

第一部分基础知识（共30分）

一、单项选择题（每题2分，共10分）

1.以下哪种材料的本征载流子浓度最低？

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.氮化镓（GaN）

答案：D（宽禁带材料禁带宽度大，本征载流子浓度随禁带宽度指数下降，GaN禁带宽度约3.4eV，远大于Si的1.1eV、Ge的0.66eV、GaAs的1.42eV）

2.PN结正向偏置时，耗尽层宽度如何变化？

A.变宽B.变窄C.不变D.先宽后窄

答案：B（正向偏置时，外电场削弱内建电场，多子扩散增强，耗尽层中正负电荷被中和，宽度减小）

3.MOSFET进入饱和区的条件是？

A.VGSVTHB.VDSVGS-VTHC.VDS≥VGS-VTHD.VBS0

答案：C（当漏源电压VDS增加到使漏端反型层消失（夹断）时，器件进入饱和区，此时VDS≥VGS-VTH）

4.以下哪种工艺步骤用于在硅片表面形成绝缘层？

A.离子注入B.化学气相沉积（CVD）C.光刻D.刻蚀

答案：B（CVD可沉积SiO?、Si?N?等绝缘材料；离子注入用于掺杂，光刻用于图形转移，刻蚀用于去除特定区域材料）

5.数字集成电路中，建立时间（Setup