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基于硅基工艺的片上变压器设计系统设计与耦合系数优化

摘要

随着射频集成电路向高频与集成化演进，硅基片上变压器成为阻抗匹配与信号耦合的核心器件。然而，硅衬底的高损耗特性导致变压器耦合系数偏低，严重制约了射频前端的性能表现。本课题旨在设计一套片上变压器自动化设计系统，并通过优化算法提升耦合系数。

系统采用修正解析模型与粒子群优化算法相结合的方案，实现从参数输入到结构优化的全流程自动化。全文按工程递进思路展开：首先进行需求分析，明确系统功能与性能指标；其次完成总体架构与模块设计，确立数据流转逻辑；接着深入详细设计，推导核心算法与接口规范；最后完成系统实现与测试验证。

本设计的核心创新在于提出基于趋肤效应与衬底涡流损耗修正的解析模型，并结合自适应惯性权重粒子群算法进行多变量联合优化。测试结果表明，系统可将耦合系数优化至0.85以上，计算耗时低于5秒，显著提升了设计效率与器件性能。

第一章绪论

1.1研究背景

现代无线通信系统对射频前端电路的带宽、噪声与线性度提出了极高要求。片上变压器作为实现阻抗变换、信号耦合与巴伦转换的关键无源器件，在低噪声放大器与压控振荡器中不可或缺。随着CMOS工艺节点不断缩小，硅基工艺凭借低成本与高集成度成为主流选择。

然而，硅衬底的高电导率特性引入了严重的寄生效应。电磁场在衬底中激发的涡流损耗不仅降低了变压器的品质因子Q，更限制了初级与次级线