YST 1744-2025 半绝缘砷化镓单晶衬底片标准立项发展报告.docx

半绝缘砷化镓单晶衬底片标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semi-InsulatingGalliumArsenideSingleCrystalSubstrateWafers

摘要

半绝缘砷化镓（GaAs）单晶衬底片作为第二代化合物半导体材料的核心产品，在射频微波器件、光电子器件及高速数字集成电路等领域具有不可替代的战略地位。随着第五代移动通信（5G）、卫星互联网、相控阵雷达等产业的高速发展，我国对高性能半绝缘砷化镓单晶衬底片的需求持续攀升，而现有行业标准在技术指标更新、测试方法规范及产品分级管理等方面已难以适应当前产业发展的实