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基于GaN基Micro-LED的智能手表常亮显示在户外强光下的低功耗高亮度趋势预测

摘要

本报告聚焦GaN-on-SiMicro-LED技术在智能手表常亮显示（Always-OnDisplay,AOD）领域的应用前景，研究其在户外强光环境下实现低功耗高亮度的技术路径与市场替代趋势。报告以2024年为基线，预测周期覆盖2025至2030年，核心判断为：随着GaN-on-Si衬底上Micro-LED外量子效率（EQE）在低电流密度（≤1A/cm2）下突破25%的关键阈值，该技术将在2026年后逐步取代OLED成为高端智能手表AOD的主流方案。

报告采用“环境→现状→趋势→