YST 1768-2025 硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体光谱法标准立项发展报告.docxVIP

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  • 2026-08-11 发布于北京
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YST 1768-2025 硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体光谱法标准立项发展报告.docx

硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:DeterminationofSurfaceImpurityContentofGraphiteProductsforPolysiliconProductionbyInductivelyCoupledPlasmaSpectrometry

摘要

关键词:硅多晶;石墨制品;表面杂质;电感耦合等离子体光谱法;标准;检测方法;有色金属

Keywords:Polysilicon;GraphiteProducts;SurfaceImpurity;InductivelyCoupledPlasmaSpectrometry;Standard;TestingMethod;Non-ferrousMetals

1引言

1.1研究背景与意义

硅多晶(多晶硅)是电子信息产业和太阳能光伏产业的基础原材料,其纯度直接影响下游单晶硅、硅片以及集成电路和光伏器件的性能。近年来,随着国家双碳战略目标的深入实施和新能源产业的高速扩张,多晶硅产业迎来了前所未有的发展机遇。与此同时,行业竞争的加剧和下游用户对产品质量要求的不断提升,对多晶硅生产的全流程质量控制提出了更高的标准。

在多晶硅生产过程中,改良西门子法(即三

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