- 0
- 0
- 约6.43千字
- 约 11页
- 2026-08-11 发布于北京
- 举报
硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:DeterminationofSurfaceImpurityContentofGraphiteProductsforPolysiliconProductionbyInductivelyCoupledPlasmaSpectrometry
摘要
关键词:硅多晶;石墨制品;表面杂质;电感耦合等离子体光谱法;标准;检测方法;有色金属
Keywords:Polysilicon;GraphiteProducts;SurfaceImpurity;InductivelyCoupledPlasmaSpectrometry;Standard;TestingMethod;Non-ferrousMetals
1引言
1.1研究背景与意义
硅多晶(多晶硅)是电子信息产业和太阳能光伏产业的基础原材料,其纯度直接影响下游单晶硅、硅片以及集成电路和光伏器件的性能。近年来,随着国家双碳战略目标的深入实施和新能源产业的高速扩张,多晶硅产业迎来了前所未有的发展机遇。与此同时,行业竞争的加剧和下游用户对产品质量要求的不断提升,对多晶硅生产的全流程质量控制提出了更高的标准。
在多晶硅生产过程中,改良西门子法(即三
您可能关注的文档
- YST 1786-2025 金锗合金标准立项发展报告.docx
- YST 1785-2025 高速铁路用青铜棒标准立项发展报告.docx
- YST 1784-2025 高速铁路用青铜板带标准立项发展报告.docx
- YST 1783-2025 车载用铜及铜合金镀锡带材标准立项发展报告.docx
- YST 1782.2-2025 硫酸铑化学分析方法 第2部分:铜、铅、锌、铂、镍、铁、镉和铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法标准立项发展报告.docx
- YST 1782.1-2025 硫酸铑化学分析方法 第1部分:铑含量的测定 硝酸六氨合钴重量法标准立项发展报告.docx
- YST 1781.4-2025 高温形状记忆合金化学分析方法 第4部分:痕量杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法标准立项发展报告.docx
- YST 1781.3-2025 高温形状记忆合金化学分析方法 第3部分:钴、铜、铬、铁、铌和镍含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法标准立项发展报告.docx
- YST 1781.2-2025 高温形状记忆合金化学分析方法 第2部分:镍含量的测定 丁二酮肟重量法标准立项发展报告.docx
- YST 1781.1-2025 高温形状记忆合金化学分析方法 第1部分:钯含量的测定 丁二酮肟重量法标准立项发展报告.docx
原创力文档

文档评论(0)