YST 1744-2025 半绝缘砷化镓单晶衬底片标准立项发展报告.docxVIP

半绝缘砷化镓单晶衬底片标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semi-InsulatingGalliumArsenideMonocrystallineSubstrate

摘要

关键词：半绝缘砷化镓；单晶衬底片；标准修订；化合物半导体；行业标准

Keywords:Semi-InsulatingGalliumArsenide;MonocrystallineSubstrate;StandardRevision;CompoundSemiconductor;IndustryStandard

一、引言

1.1研究背景

砷化镓（GaAs）材料作为第二代化合物半导体的典型代表，具有电子迁移率高、禁带宽度适中、抗辐照性能优良等突出特点，是制作微波单片集成电路（MMIC）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、异质结双极晶体管（HBT）以及红外发光器件和激光器件的关键基础材料。其中，半绝缘砷化镓单晶衬底片因其优异的高阻特性和微波性能，成为射频器件产业链中不可或缺的上游核心材料。

近年来，随着全球5G通信基础设施建设加速推进、卫星互联网星座组网工程全面启动以及国防军工信息化水平持续提升，射频微波器件市场规模快速扩大，带动半绝缘砷化镓单晶衬底片需求进入新一轮增长周期。根据行业统计数据，全球半绝缘砷化镓衬底片市场规模年均增长率保持