T∕CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法.docxVIP

ICS31.080.30CCSL44

团体标准

T/CASAS021—2025代替T/CASAS021—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法

Thresholdvoltagetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductorfieldeffecttransistor(SiCMOSFET)

2025-12-30发布2025-12-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS021—2025

I

目次

前言 II

引言 III

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4测试设备与要求 2

4.1基本要求 2

4.2设备要求 2

5测试程序 4

5.1双电压源扫描法 4

5.1.1测试步骤 4

5.1.2规定条件 5

5.2单电压源扫描法 5

5.2.1测试步骤 5

5.2.2规定条件 6