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巨量转移后Micro-LED像素修复电路设计与冗余切换验证

摘要

随着Micro-LED显示技术向超高清、大尺寸方向演进，巨量转移工艺中难以避免的像素缺陷已成为制约良率提升的瓶颈。本课题针对转移后坏点导致的显示品质劣化问题，设计一种基于4T2C冗余像素结构的修复电路，结合激光熔接修复工艺与电学测试筛选算法，实现像素级在线修复，将点亮良率从99.5%提升至99.99%。论文按照“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程链展开：第一章阐述Micro-LED像素修复的迫切需求与国内外技术现状；第二章剖析像素驱动电路、激光熔接及电学检测等关键技术；第三章明确修复系统的功能与非功能需求并建立用例模型；第四章构建包含检测层、修复层与像素阵列层的总体架构；第五章深入设计4T2C冗余像素结构、熔接修复流程及电学筛选算法；第六章给出电路实现与算法部署方案；第七章通过功能与性能测试验证良率提升效果；第八章总结创新点并展望未来方向。设计的核心特色在于将冗余电路与一次性可编程熔接修复相融合，并采用基于瞬态电流比较的筛选算法，在极小面积开销下实现高可靠修复，为Micro-LED量产提供了一种低成本、可工程化的解决方案。

第一章绪论

1.1研究背景

Micro-LED凭借高亮度、高对比度、低功耗和长寿命等优势，被视为下一代显示技术的核心。然而，在其制造过程中，巨量转移工序需要将数