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公司半导体芯片制造工特殊工艺考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.以下哪种光刻胶适用于ArF准分子激光曝光系统？

A.正性g线光刻胶

B.负性i线光刻胶

C.化学放大型193nm光刻胶

D.厚膜紫外光刻胶

2.干法刻蚀中，CF?气体主要用于刻蚀哪种材料？

A.单晶硅

B.二氧化硅

C.氮化硅

D.铝金属

3.低压化学气相沉积（LPCVD）制备多晶硅薄膜时，常用的前驱体气体是？

A.SiH?

B.SiH?Cl?

C.TEOS（硅酸四乙酯）

D.WF?

4.离子注入工艺中，用于中和晶圆表面电荷积累的关键装置是？

A.质量分析器

B.扫描磁铁

C.电子中和枪

D.加速管

5.化学机械抛光（CMP）工艺中，决定抛光速率的核心因素是？

A.抛光垫硬度

B.磨料粒径

C.slurry（抛光液）的pH值

D.晶圆与抛光盘的相对转速

6.以下哪种清洗工艺属于兆声波清洗的作用机制？

A.利用表面活性剂降低表面张力

B.通过高频声波产生微气泡破裂冲击力

C.依靠臭氧分解有机物

D.利用去离子水的溶解作用

7.光刻工艺中，套刻精度（Overlay）的典型控制指标是？

A.±5nm

B.±2