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公司半导体芯片制造工技能巩固考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20题，40分）

1.半导体制造中，光刻工艺的核心目的是（）

A.在硅片表面形成导电层

B.将掩膜版图形转移到光刻胶层

C.去除硅片表面氧化层

D.提高硅片机械强度

答案：B

2.以下哪种设备用于干法刻蚀工艺？（）

A.等离子体刻蚀机

B.旋转涂胶机

C.扩散炉

D.化学机械抛光机

答案：A

3.化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）的主要区别在于（）

A.CVD需要真空环境，PVD不需要

B.CVD通过化学反应成膜，PVD通过物理沉积成膜

C.CVD用于金属膜，PVD用于介质膜

D.CVD温度更低，PVD温度更高

答案：B

4.离子注入工艺中，决定掺杂深度的关键参数是（）

A.注入剂量

B.注入能量

C.靶材温度

D.束流均匀性

答案：B

5.洁净室（CleanRoom）的等级划分主要依据（）

A.温度控制精度

B.空气中颗粒物浓度

C.湿度控制范围

D.设备振动水平

答案：B

6.光刻胶显影后出现“浮胶”现象，最可能的原因是（）

A.曝光能量过高

B.显影时间过长

C.光刻胶与基底粘附性不足