2025-2026学年江西省南丰一中九年级(上)期末物理模拟练习试卷(含答案).pdfVIP

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2025-2026学年江西省南丰一中九年级(上)期末物理模拟练习试卷(含答案).pdf

2025-2026学年江西省南丰一中九年级(上)期末物理模拟练习试卷

一、单选题:本大题共4小题,共8分。

1.我国自主研发的IGBT芯片(如图所示)是高铁强劲有力的心脏,这

一重大突破使得我国一举打破了高端IGBT芯片长期受制于人的局面。

制造芯片的硅材料是()

A.导体

B.绝缘体

C.半导体

D.超导体

.如图所示装置,两密闭容器中分别装有和电阻丝,且与形管相连,小

25Ω10ΩU

明利用它做实验。他将两电阻丝串联后接入电路后,观察

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