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双沟道场效应晶体管技术参数与应用指南.pdfVIP

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  • 2026-08-14 发布于北京
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双沟道场效应晶体管技术参数与应用指南.pdf

    1996年12月

    N

    NDH8520C

    双N沟道与P沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些N沟道与P沟道双增强型功率场效应晶体管采用国N沟道2.8A/30V，R=0.07@V=10VR=0.

    DS(ON)GSDS(ON)

    家公司专有的高单元密度DMOS技术制造。该超1@V=4.5V；P沟道‑2.2A/‑30V，R=0.11

    GSDS(ON)

    度工艺专为降低导通电阻和

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