电动汽车用碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管功率分立器件技术规范标准化发展研究报告.docx

电动汽车用碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管功率分立器件技术规范标准化发展报告

SiCMOSFET在电动汽车应用中经常面临雪崩工况（如电机堵转、短路保护和母线过压等），标准将规定：

摘要

-单次雪崩能量（EAS）：规定在特定电感负载条件下的单次雪崩能量承受能力测试方法和判据。-重复雪崩能量（EAR）：规定重复雪崩工况下的器件耐受能力和性能退化限值。-雪崩电流（IAV）：规定器件能够承受的最大雪崩电流值。3.3.4短路耐受能力短路耐受能力是车规级功率器件的核心安全指标。SiCMOSFET因其较高的饱和电流密度，短路耐受时间通常短于SiIGBT。标准将规定：-短