绝对压强在半导体制造工艺题库及答案.docxVIP

绝对压强在半导体制造工艺题库及答案

一、选择题

1.以下关于绝对压强的物理定义，正确的表述是：

A.以当地大气压为参考零点的压力值

B.相对于绝对真空的压力测量值

C.仅适用于常压环境的压力表示方法

D.与表压的数值差等于标准大气压

答案：B

解析：绝对压强是相对于绝对真空（理论上无分子存在的状态）的压力测量值，而表压是以当地大气压为参考的相对值，两者关系为绝对压强=表压+当地大气压（表压为负时表示真空度）。

2.在半导体PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺中，绝对压强对等离子体特性的主要影响是：

A.压强升高会降低电子平均自由程

B.压强降低会减少离子轰击能量

C.压强变化不影响自由基生成速率

D.压强与等离子体密度呈线性负相关

答案：A

解析：电子平均自由程与气体分子密度成反比，绝对压强升高时，气体分子数密度增加，电子在两次碰撞间的运动距离（平均自由程）缩短，导致电子能量积累减少，等离子体激发效率可能下降。

3.某刻蚀设备显示当前真空度为20mTorr（毫托），当地大气压为760Torr，其绝对压强约为：

A.2.666Pa

B.26.66Pa

C.266.6Pa

D.2666Pa

答案：A

解析：1Torr≈133.322Pa，20mTorr=0.02Tor