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B特性分析与带隙电路设计习题集.pdfVIP

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  • 2026-08-18 发布于北京
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B特性分析与带隙电路设计习题集.pdf

    问题

    #1

    判断对错

    I.

    当双极型晶体管（BJT）的集电极电流偏置在恒定1mA时，随着V上升，

    CB

    V会下降。

    BE

    II.

    在双极型晶体管中，ICEO是ICBO的β倍。

    Ⅲ.当温度上升时，a(β)会随T从5000到7000PPM的范围内增加。

    C

    IV.当BJT的电流密度增加时，其V会下降。

    BE

    V.当BJT的基极薄层电阻增加时，其极效率会降低。

    ++

    VI.PN结的雪崩击穿取决于P的掺杂浓度。

    判断电路优劣。

    问题

    #2

    β=49,V=∞,I=1毫安,计算电阻R使输出电压Vout=1伏，R=1兆欧。电源电压VCC=5伏。

    pnpAOC

    hahafish第

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