光电子器件耦合技术解析42图集.pptVIP

第四章发光与耦合器件;优选第四章发光与耦合器件;3、制作材料

（1）直接带（直接跃迁）材料：GaAs、GaN、ZnSe等。

（2）间接带（间接跃迁）材料：GaP

（3）混晶：GaAs1-xPx，禁带宽，掺杂不同材料，可发出不同颜色的光。

4、特点

体积小，耐冲击，寿命长，功耗低，响应快，可靠性高，颜色鲜明＆易与集成电路匹配等。

;二、特性参数

（一）效率

（1）用于非显示

功率效率：输入的电功率转换成辐射的功率的效率。;量子效率：注入载流子复合而产生的光量子效率，可分为内量子效率＆外量子效率。

内量子效率：辐射复合所产生的光子数与激发时注入的电子空穴对数之比。

外量子效率：射出光子数与注入电子空穴对数之比。

（2）用于显示

照明效率：辐射功率转换成光通量的效率。

流明效率：消耗单位功率所得到的光通量。

;（2）发光光谱（发光的相对强度随波长变化的分布曲线，它直接决定发光二极管的发光颜色，并影响其流明效率）

;1、数字、文字以及图像显示

2、受激吸收（Flash演示）

当两者距离增大，绝缘耐压提升，但电流传输比却降低，反之，绝缘耐压降低，但电流传输比却提升。

体积小，耐冲击，寿命长，功耗低，响应快，可靠性高，颜色鲜明＆易与集成电路匹配等。

半导体激光器：小巧，耐用，简单，常用于光通信，光信息存放等。

因为电子＆光子在异质结面上都受到了限制，减小了损耗，因而降低了阈值。

气体激光器：普