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- 2026-08-19 发布于北京
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2010年12月｜end▁of
▁sentence｜
_
FQD8P10TMF085100V
P沟
道MOSFET｜end▁of▁sentence｜
概述｜end▁of▁sentence｜特性｜end▁of▁sentence｜
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条纹DMOS技术制造。
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