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面向算力互联的锗锡（GeSn）光源：CMOS兼容的硅基高效发光材料在片上光互联中的突破趋势

摘要

本报告聚焦于先进调制与复用领域，特别是硅基光电子集成中实现高效片上光源这一核心瓶颈问题。研究范围集中于锗锡（GeSn）合金材料作为CMOS兼容的直接带隙发光材料的技术进展、产业化路径及其在算力互联场景中的应用潜力。预测周期为2024年至2029年。

核心趋势判断是：随着数据中心与人工智能对高带宽、低功耗互连需求的爆炸式增长，硅光技术正从“无源”向“有源”集成演进。GeSn合金因其能带工程可实现直接带隙发光，且与现有硅基CMOS工艺高度兼容，有望在未来3-5年内成为解决硅基片上光源