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20V N沟道PowerTrench MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-08-20 发布于北京
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20V N沟道PowerTrench MOSFET技术手册.pdf

    2001年9月

    FDN371N

    20V

    N沟道PowerTrenchMOSFET

    概述特性

    这款20V

    N沟道MOSFET采用飞兆的高压•2.5

    A,

    20

    V.R=50m@

    V=4.5

    V

    DS(ON)GS

    电压PowerTrench工艺，专为电阻

    =60毫@

    =2.5

    伏特

    电源管理应用。DS(ON)

    GS

    应用

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